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Ciência

IBM cria memória 50 vezes mais rápida do que o flash

A IBM descobriu uma alteração na phase-changing memory que lhe permite obter um melhor desempenho do que a flash ou a RAM.

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Os investigadores da IBM descobriram como podem melhorar a tecnologia PCM, de phase-changing memory, de forma armazenar até 3 bits de dados por célula, aumentando a capacidade da tecnologia original.

A PCM já é usada atualmente para armazenar dados em discos óticos e outros suportes e baseia-se em dois estados possíveis para cada célula (“on” ou “off”). É aplicada baixa voltagem ao disco para se conseguir ler os conteúdos, de acordo com o estado 0 ou 1. Agora, a IBM conseguiu adicionar 3 bits de dados em cada célula, mesmo depois de os conteúdos já terem sido escritos há mais tempo, explica o Engadget.

Com esta inovação, pode ser possível criar memórias PCM com um custo por densidade inferior ao que se consegue, por exemplo, nas memórias RAM. A velocidade das PCM é superior ao flash, mas com custos elevados de produção, devido precisamente à baixa densidade possível.

Os investigadores pretendem criar memórias PCM integradas com flash para cache extremamente rápidas para o telemóvel e substituir as unidades SSDs atuais no armazenamento de aplicações onde a velocidade seja um fator preponderante.

Ainda não se sabe quando é que as primeiras memórias com esta novidade possam chegar ao mercado.

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